|
چالش های طراحی آی سی های دیجیتال در فرآیندهای ساخت نانومتری
|
مسعود هوشمند کفاشیان   |
|
|
|
چکیده: (2042 مشاهده) |
| مدارهای مجتمع دیجیتال (یا آیسی های دیجیتال) امروزه در سیستمهای کامپیوتری و مخابراتی بسیار مورد استفاده قرار میگیرند. افزودن کارکردهای هر چه بیشتر به سیستم، نیاز به افزایش کارایی و در عین حال کاهش قیمت در مداره ای مجتمع، روند "کوچک-مقیاس شدن " فناوری را موجب شده است. اما کوچک-مقیاس شدن شتابان فناوری به ویژه در گره های فناوری کوچکتر از 45nm چالش های بزرگی را ایجاد نموده است. در این گره های فناوری از یک سو حفظ دقت نسبی پارامترهای افزاره ها و خطوط واصل دشوارتر است و از سوی دیگر حفظ سطح کارایی مطلوب (برای مثال سرعت پردازش ریز پردازنده ها در سیستم های پردازشی) در طول عمر بسیاری از قطعات تجاری به یک مساله مهم تبدیل شده است. در عین حال مصرف توان پویا و به ویژه توان نشتی، به دغدغه ی مهمی در طراحی مدارهای مجتمع دیجیتال تبدیل شده است، این در حالی است که مصرف توان به ویژه در کاربردهای پرتابل همچون گوشی تلفن همراه و یا تبلت ها و لپتاپ ها بسیار پر اهمیت است. در این پژوهش مهمترین چالش های طراحی مدارهای دیجیتال در محدوده ی نانومتری مورد بررسی قرار میگیرند. |
|
| واژه‌های کلیدی: مدارهای دیجیتال نانومتری، قابلیت اطمینان، تغییرپذیری، توان نشتی |
|
|
متن کامل [PDF 418 kb]
(2339 دریافت)
|
نوع مطالعه: علمی- ترویجی |
موضوع مقاله:
تخصصي
دریافت: 1393/2/1 | پذیرش: 1393/4/1 | انتشار: 1393/6/1
|
|
|
|
|
|
|
| ارسال پیام به نویسنده مسئول |
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
