[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: درباره انجمن مهندسی برق :: اعضای انجمن مهندسی برق شاخه خراسان :: خبرنامه علمی انجمن :: عضویت در انجمن :: تماس با انجمن ::
:: دوره 7، شماره 13 - ( 6-1399 ) ::
جلد 7 شماره 13 صفحات 13-17 برگشت به فهرست نسخه ها
شبیه سازی ناپایداری ولتاژ آستانه (دریفت) در ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با گیتAl2O3و تصحیح به روش کاشت یون
چکیده:   (223 مشاهده)
ناپایداری ولتاژ آستانه یا دریفت در یک ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون (ISFET) بصورت یک تغییر زمانی یکسویه نسبتا کند در ولتاژ آستانه و در نتیجه در جریان درین پدیدار می شود که در غیاب نوسانات غلظت یون داده در محلول رخ می دهد. در این مقاله  ساختار قطعه ISFET و ناپایداری ولتاژ آستانه بر اساس داده های تجربی و با استفاده از یک مدل فیزیکی برای دریفت با نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است. علاوه بر این کاشت یونی به عنوان روشی برای خنثی کردن ناپایداری در ISFET  معرفی شده است.  این روش مبتنی بر تنظیم ولتاژ آستانه  از طریق میزان کردن چگالی بار در لایه واسط نیمه هادی-عایق با استفاده از کاشت یونی است، چنانکه بار الکتریکی خالص القا شده در نیمرسانا تا حد ممکن خنثی شود. روش پیشنهادی بصورت تحلیلی توجیه شده و بر اساس مشخصه یابی و مدلسازی فیزیکی دریفت در یکISFET حساس به pH با عایق گیتی از جنس اکسیدآلومینیوم ( Al2O3) تائید شده است. خنثی سازی دریفت در ISFET با استفاده از کاشت یونی همچنین به کمک شبیه سازیTCADنشان داده شده است.
واژه‌های کلیدی: دریفت، کاشت یونی، ناپایداری، ISFET
متن کامل [PDF 6526 kb]   (43 دریافت)    
نوع مطالعه: علمی- ترویجی | موضوع مقاله: تخصصي
دریافت: 1399/8/24 | پذیرش: 1399/6/30 | انتشار: 1399/6/30
ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Simulation Threshold Voltage instability (Drift) in Ion selective Field Effect Transistor(ISFET) with Al2O3 Gate and Correct using Ion Implantation. عصر برق. 2020; 7 (13) :13-17
URL: http://kiaeee.ir/article-1-260-fa.html

شبیه سازی ناپایداری ولتاژ آستانه (دریفت) در ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون (ISFET) با گیتAl2O3و تصحیح به روش کاشت یون. فصل نامه علمی ترویجی عصر برق. 1399; 7 (13) :13-17

URL: http://kiaeee.ir/article-1-260-fa.html



دوره 7، شماره 13 - ( 6-1399 ) برگشت به فهرست نسخه ها
نشریه عصر برق - انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران - شاخه خراسان Khorasan Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers (kiaeee)
Persian site map - English site map - Created in 0.04 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 4256