[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: درباره انجمن مهندسی برق :: اعضای انجمن مهندسی برق شاخه خراسان :: خبرنامه علمی انجمن :: عضویت در انجمن :: تماس با انجمن ::
:: دوره 7، شماره 14 - ( 9-1399 ) ::
جلد 7 شماره 14 صفحات 10-7 برگشت به فهرست نسخه ها
خواص الکترونی، نوری و مغناطیسی تک لایه مولیبدن دی سولفید در حضور نقص‌های نقطه‌ای با استفاده از اصول اولیه
مریم نیری، حامد طاهری
چکیده:   (358 مشاهده)
چکیده-این پژوهش به مطالعه در خصوص نقص­های تهی جای مولیبدن دی سولفید تک­لایه بر پایه اصول اولیه می­پردازد. روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر تئوری تابعی چگالی(DFT) به مطالعه و بررسی ساختار الکترونی اتم­ها، مولکول­ها و جامدات می­پردازد و روش دقیق و هوشمندانه­ای برای جایگزینی مسائل چندذره­ای محسوب می­شود. ابرسلول در نظر گرفته شده در این ساختار شامل 36 اتم می­باشد و از تقریب شیب تعمیم یافته برای پتانسیل تبادلی-همبستگی استفاده شده است. مولیبدن دی سولفید تک­لایه ذاتی دارای شکاف نوار مستقیم با انرژیeV 82/1 می­باشد. وجود نقص در این ساختار منجر به تغییرات قابل توجهی در خواص الکترونیکی و مغناطیسی ماده می­گردد. نتایج نشان می­دهند حذف یک اتم مولیبدن و یا حذف یک اتم مولیبدن به همراه دو اتم گوگرد منجر به تغییر حالات اسپینی و مغناطیسی شدن ماده می­گردد. به علاوه، حذف یک و دو اتم گوگرد منجر به انرژی شکاف نواری کمتر از حالت ذاتی می­شود. با برداشتن یک اتم گوگرد اولین بیشینه قسمت موهومی تابع دی­الکتریک در حوالی شکاف نوار رخ می­دهد. حذف دو اتم گوگرد و یا یک اتم مولیبدن با یک اتم گوگرد نیز منجر به غیرمستقیم شدن شکاف نوار می­گردد. مطالعه عیوب ساختاری می­تواند فرصت­های نوینی را برای رهیافت در خصوص رشد و سنتز نانومواد فراهم سازد.
واژه‌های کلیدی: تابع دی الکتریک، طیف انتقال، مغناطیسی، مولیبدن دی سولفید، نقص
متن کامل [PDF 637 kb]   (126 دریافت)    
نوع مطالعه: علمی- ترویجی | موضوع مقاله: تخصصي
دریافت: 1399/12/24 | پذیرش: 1399/9/30 | انتشار: 1399/9/30
ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Electronic, optical and magnetic properties of molybdenum disulfide monolayer in the presence of point defects using first principles. عصر برق. 2020; 7 (14) :7-10
URL: http://kiaeee.ir/article-1-282-fa.html

نیری مریم، طاهری حامد. خواص الکترونی، نوری و مغناطیسی تک لایه مولیبدن دی سولفید در حضور نقص‌های نقطه‌ای با استفاده از اصول اولیه. فصل نامه علمی ترویجی عصر برق. 1399; 7 (14) :10-7

URL: http://kiaeee.ir/article-1-282-fa.html



بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.
دوره 7، شماره 14 - ( 9-1399 ) برگشت به فهرست نسخه ها
نشریه عصر برق - انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران - شاخه خراسان Khorasan Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers (kiaeee)
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 29 queries by YEKTAWEB 4343