|
خواص الکترونی، نوری و مغناطیسی تک لایه مولیبدن دی سولفید در حضور نقصهای نقطه‌ای با استفاده از اصول اولیه
|
| مریم نیری، حامد طاهری |
|
|
|
چکیده: (1365 مشاهده) |
| چکیده-این پژوهش به مطالعه در خصوص نقصهای تهی جای مولیبدن دی سولفید تکلایه بر پایه اصول اولیه میپردازد. روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر تئوری تابعی چگالی(DFT) به مطالعه و بررسی ساختار الکترونی اتمها، مولکولها و جامدات میپردازد و روش دقیق و هوشمندانهای برای جایگزینی مسائل چندذرهای محسوب میشود. ابرسلول در نظر گرفته شده در این ساختار شامل 36 اتم میباشد و از تقریب شیب تعمیم یافته برای پتانسیل تبادلی-همبستگی استفاده شده است. مولیبدن دی سولفید تکلایه ذاتی دارای شکاف نوار مستقیم با انرژیeV 82/1 میباشد. وجود نقص در این ساختار منجر به تغییرات قابل توجهی در خواص الکترونیکی و مغناطیسی ماده میگردد. نتایج نشان میدهند حذف یک اتم مولیبدن و یا حذف یک اتم مولیبدن به همراه دو اتم گوگرد منجر به تغییر حالات اسپینی و مغناطیسی شدن ماده میگردد. به علاوه، حذف یک و دو اتم گوگرد منجر به انرژی شکاف نواری کمتر از حالت ذاتی میشود. با برداشتن یک اتم گوگرد اولین بیشینه قسمت موهومی تابع دیالکتریک در حوالی شکاف نوار رخ میدهد. حذف دو اتم گوگرد و یا یک اتم مولیبدن با یک اتم گوگرد نیز منجر به غیرمستقیم شدن شکاف نوار میگردد. مطالعه عیوب ساختاری میتواند فرصتهای نوینی را برای رهیافت در خصوص رشد و سنتز نانومواد فراهم سازد. |
|
| واژه‌های کلیدی: تابع دی الکتریک، طیف انتقال، مغناطیسی، مولیبدن دی سولفید، نقص |
|
|
متن کامل [PDF 637 kb]
(848 دریافت)
|
نوع مطالعه: علمی- ترویجی |
موضوع مقاله:
تخصصي
دریافت: 1399/12/24 | پذیرش: 1399/9/30 | انتشار: 1399/9/30
|
|
|
|
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
