|
سلول حافظه ۱۲ ترانزیستوری SRAM جدید با سرعت بالا و توان مصرفی کم
|
| میثم فلاح بوجی، مهدی زارع، مژده مهدوی |
|
|
|
چکیده: (1476 مشاهده) |
| چکیده - قدرت و سرعت دو پارامتر مهمی‌هستند که نظر طراح را در روند طراحی مدارهای یکپارچه جلب می‌کنند. بلوک‌های حافظه و به ویژه سلول‌های SRAM سطح تراشه‌های بالایی را مصرف می‌کنند و در نتیجه بهینه‌سازی این سلول‌ها می‌تواند عملکرد کل سیستم را افزایش دهد. در این مقاله، سلول حافظه استاتیکی دوازده ترانزیستوری ارائه شده است که سرعت و ثبات خواندن و نوشتن را بهبود می‌بخشد و در کنار افزایش سرعت توان مصرفی پایینتری دارد به نحوی که در مجموع حاشیه نویز استاتیکی خواندن تا 19 درصد بهبود نسبت به سلول حافظه 12 ترانزیستوری و 43 درصد بهبود نسبت به سلول شش ترانزیستوری معمولی دارد، همچنین معدل سرعت خواندن و نوشتن مدار حدود 30 درصد نسبت به سلول 12 ترانزیستوری افزایش پیدا کرده است و با توجه به اینکه تعداد ترانزیستورها نسبت به سلول شش ترانزیستوری افزایش داشته است توان مصرفی حدود 40 درصد کاهش داشته و نسبت به سلول 12 ترانزیستوری مشابه توان مصرفی کاهش چشمگیر 80 درصدی را برای بهترین بازده دارد. نتایج شبیه‌سازی نشان‌دهنده پیشرفت در بهبود اتلاف انرژی و کاهش حاشیه نویز خواندن و نوشتن در مقایسه با طرح قبلی است. |
|
| واژه‌های کلیدی: سلول حافظه، حافظه استاتیک، حاشیه نویز، پایداری حافظه |
|
|
متن کامل [PDF 10372 kb]
(1133 دریافت)
|
نوع مطالعه: علمی- ترویجی |
موضوع مقاله:
تخصصي
دریافت: 1399/8/24 | پذیرش: 1399/6/30 | انتشار: 1399/6/30
|
|
|
|
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
