fa سلول حافظه ۱۲ ترانزیستوری SRAM جدید با سرعت بالا و توان مصرفی کم تخصصي Special علمی- ترویجی Scientific-extension <strong><span style="font-style:normal;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">چکیده - قدرت و سرعت دو پارامتر مهمی‌هستند که نظر طراح را در روند طراحی مدارهای یکپارچه جلب می‌کنند. بلوک‌های حافظه و به ویژه سلول‌های </span></span></span></strong><span dir="LTR"><span style="font-size:10.0pt;">SRAM</span></span><strong><span style="font-style:normal;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;"> سطح تراشه‌های بالایی را مصرف می‌کنند و در نتیجه بهینه‌سازی این سلول‌ها می‌تواند عملکرد کل سیستم را افزایش دهد. در این مقاله، سلول حافظه استاتیکی دوازده ترانزیستوری ارائه شده است که سرعت و ثبات خواندن و نوشتن را بهبود می‌بخشد و در کنار افزایش سرعت توان مصرفی پایینتری دارد به نحوی که در مجموع حاشیه نویز استاتیکی خواندن تا 19 درصد بهبود نسبت به سلول حافظه 12 ترانزیستوری و 43 درصد بهبود نسبت به سلول شش ترانزیستوری معمولی دارد، همچنین معدل سرعت خواندن و نوشتن مدار حدود 30 درصد نسبت به سلول 12 ترانزیستوری افزایش پیدا کرده است و با توجه به اینکه تعداد ترانزیستورها نسبت به سلول شش ترانزیستوری افزایش داشته است توان مصرفی حدود 40 درصد کاهش داشته و نسبت به سلول 12 ترانزیستوری مشابه توان مصرفی کاهش چشمگیر 80 درصدی را برای بهترین بازده دارد. نتایج شبیه‌سازی نشان‌دهنده پیشرفت در بهبود اتلاف انرژی و کاهش حاشیه نویز خواندن و نوشتن در مقایسه با طرح قبلی است.</span></span></span></strong> Power and speed are two parameters which have attracted the designer&rsquo;s trends in the integrated circuit designs. The memory blocks and specially the SRAM cells consume high chips area and consequently these cells optimization can increase the whole system performance. &nbsp;In this paper, a new twelve transistors (12T) SRAM cell is proposed that improves read and write speed and stability, along with lower power consumption speeds so that overall static reading margin is up to 19% better than 12 transistor memory cells. And it has a 43% improvement over a conventional six-transistor SRAM cell, and also an average reading and writing speed of about 30% compared to a 12-transistor cell, as the number of transistors increased compared to the six-transistor cell, the power consumption decreased by about 40% and compared to the 12-cell transistor cell, the power consumption decreased dramatically by 80% for best efficiency. The simulation results show progress in improving energy loss and reducing the reading and writing noise margins compared to the previous design. سلول حافظه, حافظه استاتیک, حاشیه نویز, پایداری حافظه memory cell, static memory, noise margin, memory stability 7 12 http://kiaeee.ir/browse.php?a_code=A-10-272-2&slc_lang=fa&sid=1 میثم فلاح بوجی 1003194753284600834 1003194753284600834 Yes دانشگاه آزاد اسلامی واحد شهر قدس مهدی زارع 1003194753284600835 1003194753284600835 No دانشگاه آزاد اسلامی واحد شهر قدس مژده مهدوی 1003194753284600836 1003194753284600836 No دانشگاه آزاد اسلامی واحد شهر قدس