fa تاثیر گیت دوم بر عملکرد فرکانس بالای ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا AlGaN/GaN تخصصي Special علمی- ترویجی Scientific-extension <span class="fontstyle0">ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا (</span><span class="fontstyle2">HEMT</span><span class="fontstyle2">) </span><span class="fontstyle0">افزاره های الکترونیکی مهمی برای ساختارهای سرعت بالا به شمار می رونـد. در این مقاله، به بررسی مشخصه های الکتریکی ساختار </span><span class="fontstyle2">AlGaN/GaN HEMT</span><span class="fontstyle0"> پرداخته شده و میزان تاثیر گیت دوم براثرات کانال کوتاه و عملکرد فرکانس بالای افزاره مورد تحلیل و بررسی قرار گرفته است. تمامی شبیه سازی ها توسط نرم افزار دو بعدی سیلواکو انجام گرفتـه اسـت. مقـدار ولتاژ آستانه، جریان حالت روشن، حالت خاموش و شیب زیر آستانه بررسی شد. مشخص گردید با افزایش تعداد گیت اثرات کانال کوتاه به دلیـل افزایش کنترل گیت بر کانال به طور قابل ملاحظه ای کاهش می یابد. همچنین پارامترهای فرکانس بالا شامل ترارسانایی، خازن گیـت و فرکـانس قطع بالا محاسبه شد. نتایج بدست آمده نشان می دهد فرکانس قطع بالا در افزاره دو گیتی (</span><span class="fontstyle2">DG</span><span class="fontstyle0">) بیشتر از فرکانس قطع بالا در افزاره یک گیتی&nbsp; (</span><span class="fontstyle2"> SG</span><span class="fontstyle2">)</span><span class="fontstyle0"> است. لذا ساختار دو گیتی برای کاربردهای فرکانس بالا افزاره مناسب تری می باشد.</span> High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are the promising devices for high speed structures. In this paper, the electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMT have been investigated. The impact of the second gate on the short channel effects (SCEs) and the high frequency performance of presented structurehas been analyzed. All simulations were carried out using 2-D Silvaco software. The threshold voltage, on-state current, off-state current, subthreshold swing have been evaluated. It was shown that SCEs&nbsp;<span dir="RTL">&nbsp; on state current, off state current, subthreshold swing have been evaluated. It was shown that Siftware. The thre</span>significantly decrease with increasing the number of gates because of the better control of gate in double gate (DG) structure. Also, the high frequency parameters (transconductance, gate capacitance and cut-off frequency) have been calculated. The results show that the cut-off frequency in double gate (DG) structure is more than that of single gate (SG) structure. Therefore, the DG structure is more suitable device for high frequency applications.<br> &nbsp; ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا, اثرات کانال کوتاه, خازن گیت, ترا رسانایی, فرکانس قطع بالا High electron mobility transistor, Short channel effects, gate capacitance, transconductance, high cut-off frequency 42 45 http://kiaeee.ir/browse.php?a_code=A-10-161-3&slc_lang=fa&sid=1 seyed reza hoseini سید رضا حسینی hosseini@iaukhoy.ac.ir 1003194753284600473 1003194753284600473 Yes گروه مهندسی برق، واحد خوی، دانشگاه آزاد اسلامی، خوی zeinab jalali زینب جلالی Ara.zeynab@yahoo.com 1003194753284600474 1003194753284600474 No گروه مهندسی برق، واحد خوی، دانشگاه آزاد اسلامی، خوی