TI - Design and Implementation of High Frequency Floating Meminductor Emulator PT - JOURNAL ARTICLE TA - kiaeee JN - kiaeee VO - 7 VI - 13 IP - 13 4099 - http://kiaeee.ir/article-1-263-fa.html 4100 - http://kiaeee.ir/article-1-263-fa.pdf SO - kiaeee 13 AB  - بدون شک عناصر حافظه­دار انقلاب جدیدی در صنعت الکترونیک ایجاد کرده است، که باعث می­شود از خواص آن در کاربردهای گوناگون بهره برد. سلف حافظه­دار یکی از عناصر مذکور بوده که با توجه به ویژگی­های منحصر به ‌فرد آن اخیراً مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است. در این مقاله، ابتدا یک ساختار جدید از مدل سلف حافظه­دار با استفاده از ممریستور ارائه گردیده است. این ساختار تا فرکانس 200 هرتز عملکرد خوبی از خود نشان می‌دهد. سپس برای اولین بار یک ساختار جدید به منظور طراحی و پیاده‌سازی امولاتور سلف حافظه‌دار کنترل شده با شار مغناطیسی در محدوده فرکانسی مگاهرتز پیشنهاد شده است. مدار امولاتور پیشنهادی از یک ضرب کننده آنالوگ استفاده می‌کند. مدل سلف حافظه­دار بیان شده می‌تواند در هر دو تنظیمات افزایشی و کاهشی تنظیم شود و عملکرد خوبی تا فرکانس 6/5 مگاهرتز داشته باشد. در این مقاله ابتدا تحلیلی از مدل پیشنهاد شده با مدارات الکترونیکی توضیح داده شده است و سپس نتایج شبیه سازی و ساخت مدل پیشنهادی آورده شده است. نتایج مدار طراحی شده، نشان دهنده عملکرد مناسب مدار طراحی شده به‌عنوان سلف حافظه‌دار می‌باشد. CP - IRAN IN - LG - eng PB - kiaeee PG - 35 PT - Scientific-extension YR - 2020