TY - JOUR JF - kiaeee JO - عصر برق VL - 7 IS - 14 PY - 2020 Y1 - 2020/12/01 TI - Electronic, optical and magnetic properties of molybdenum disulfide monolayer in the presence of point defects using first principles TT - خواص الکترونی، نوری و مغناطیسی تک لایه مولیبدن دی سولفید در حضور نقص‌های نقطه‌ای با استفاده از اصول اولیه N2 - چکیده-این پژوهش به مطالعه در خصوص نقص­های تهی جای مولیبدن دی سولفید تک­لایه بر پایه اصول اولیه می­پردازد. روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر تئوری تابعی چگالی(DFT) به مطالعه و بررسی ساختار الکترونی اتم­ها، مولکول­ها و جامدات می­پردازد و روش دقیق و هوشمندانه­ای برای جایگزینی مسائل چندذره­ای محسوب می­شود. ابرسلول در نظر گرفته شده در این ساختار شامل 36 اتم می­باشد و از تقریب شیب تعمیم یافته برای پتانسیل تبادلی-همبستگی استفاده شده است. مولیبدن دی سولفید تک­لایه ذاتی دارای شکاف نوار مستقیم با انرژیeV 82/1 می­باشد. وجود نقص در این ساختار منجر به تغییرات قابل توجهی در خواص الکترونیکی و مغناطیسی ماده می­گردد. نتایج نشان می­دهند حذف یک اتم مولیبدن و یا حذف یک اتم مولیبدن به همراه دو اتم گوگرد منجر به تغییر حالات اسپینی و مغناطیسی شدن ماده می­گردد. به علاوه، حذف یک و دو اتم گوگرد منجر به انرژی شکاف نواری کمتر از حالت ذاتی می­شود. با برداشتن یک اتم گوگرد اولین بیشینه قسمت موهومی تابع دی­الکتریک در حوالی شکاف نوار رخ می­دهد. حذف دو اتم گوگرد و یا یک اتم مولیبدن با یک اتم گوگرد نیز منجر به غیرمستقیم شدن شکاف نوار می­گردد. مطالعه عیوب ساختاری می­تواند فرصت­های نوینی را برای رهیافت در خصوص رشد و سنتز نانومواد فراهم سازد. SP - 7 EP - 10 AD - KW - Dielectric function KW - transmission spectrum KW - magnetic KW - molybdenum disulfide KW - defect UR - http://kiaeee.ir/article-1-282-fa.html ER -