|
تاثیر گیت دوم بر عملکرد فرکانس بالای ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا AlGaN/GaN
|
سید رضا حسینی   ، زینب جلالی |
|
|
|
چکیده: (2329 مشاهده) |
| ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا (HEMT) افزاره های الکترونیکی مهمی برای ساختارهای سرعت بالا به شمار می رونـد. در این مقاله، به بررسی مشخصه های الکتریکی ساختار AlGaN/GaN HEMT پرداخته شده و میزان تاثیر گیت دوم براثرات کانال کوتاه و عملکرد فرکانس بالای افزاره مورد تحلیل و بررسی قرار گرفته است. تمامی شبیه سازی ها توسط نرم افزار دو بعدی سیلواکو انجام گرفتـه اسـت. مقـدار ولتاژ آستانه، جریان حالت روشن، حالت خاموش و شیب زیر آستانه بررسی شد. مشخص گردید با افزایش تعداد گیت اثرات کانال کوتاه به دلیـل افزایش کنترل گیت بر کانال به طور قابل ملاحظه ای کاهش می یابد. همچنین پارامترهای فرکانس بالا شامل ترارسانایی، خازن گیـت و فرکـانس قطع بالا محاسبه شد. نتایج بدست آمده نشان می دهد فرکانس قطع بالا در افزاره دو گیتی (DG) بیشتر از فرکانس قطع بالا در افزاره یک گیتی ( SG) است. لذا ساختار دو گیتی برای کاربردهای فرکانس بالا افزاره مناسب تری می باشد. |
|
| واژه‌های کلیدی: ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا، اثرات کانال کوتاه، خازن گیت، ترا رسانایی، فرکانس قطع بالا |
|
|
متن کامل [PDF 5205 kb]
(871 دریافت)
|
نوع مطالعه: علمی- ترویجی |
موضوع مقاله:
تخصصي
دریافت: 1397/4/1 | پذیرش: 1397/7/1 | انتشار: 1397/9/30
|
|
|
|
|
|
