[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: درباره انجمن مهندسی برق :: اعضای انجمن مهندسی برق شاخه خراسان :: خبرنامه علمی انجمن :: عضویت در انجمن :: تماس با انجمن ::
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
اطلاعات نشریه::
آرشیو مجله و مقالات::
برای نویسندگان::
داوران::
ثبت نام در سایت::
تماس با ما::
تسهیلات پایگاه::
انجمن مهندسی برق::
آرشیو مطالب::
قوانین و مقررات سایت::
اخبار همایش::
::
تبعیت از قوانین COPE

نشریه عصر برق با احترام به قوانین اخلاق در نشریات تابع قوانین کمیتۀ اخلاق در انتشار (COPE) می باشد و از آیین نامه اجرایی قانون پیشگیری و مقابله با تقلب در آثار علمی پیروی می نماید.

برای مطالعه بیشتر در این زمینه به وبسایت http://publicationethics.org مراجعه شود

..
جستجو در پایگاه

جستجوی پیشرفته
..
دریافت اطلاعات پایگاه
نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه، در کادر زیر وارد کنید.
..
:: دوره 2، شماره 10 - ( 9-1397 ) ::
جلد 2 شماره 10 صفحات 45-42 برگشت به فهرست نسخه ها
تاثیر گیت دوم بر عملکرد فرکانس بالای ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا AlGaN/GaN
سید رضا حسینی ، زینب جلالی
چکیده:   (2307 مشاهده)
ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا (HEMT) افزاره های الکترونیکی مهمی برای ساختارهای سرعت بالا به شمار می رونـد. در این مقاله، به بررسی مشخصه های الکتریکی ساختار AlGaN/GaN HEMT پرداخته شده و میزان تاثیر گیت دوم براثرات کانال کوتاه و عملکرد فرکانس بالای افزاره مورد تحلیل و بررسی قرار گرفته است. تمامی شبیه سازی ها توسط نرم افزار دو بعدی سیلواکو انجام گرفتـه اسـت. مقـدار ولتاژ آستانه، جریان حالت روشن، حالت خاموش و شیب زیر آستانه بررسی شد. مشخص گردید با افزایش تعداد گیت اثرات کانال کوتاه به دلیـل افزایش کنترل گیت بر کانال به طور قابل ملاحظه ای کاهش می یابد. همچنین پارامترهای فرکانس بالا شامل ترارسانایی، خازن گیـت و فرکـانس قطع بالا محاسبه شد. نتایج بدست آمده نشان می دهد فرکانس قطع بالا در افزاره دو گیتی (DG) بیشتر از فرکانس قطع بالا در افزاره یک گیتی  ( SG) است. لذا ساختار دو گیتی برای کاربردهای فرکانس بالا افزاره مناسب تری می باشد.
واژه‌های کلیدی: ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا، اثرات کانال کوتاه، خازن گیت، ترا رسانایی، فرکانس قطع بالا
متن کامل [PDF 5205 kb]   (867 دریافت)    
نوع مطالعه: علمی- ترویجی | موضوع مقاله: تخصصي
دریافت: 1397/4/1 | پذیرش: 1397/7/1 | انتشار: 1397/9/30
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

hoseini S R, jalali Z. The Impact of the Second Gate on High Frequency Performance of AlGaN/GaN HEMT. عصر برق 2018; 2 (10) :42-45
URL: http://kiaeee.ir/article-1-175-fa.html

حسینی سید رضا، جلالی زینب. تاثیر گیت دوم بر عملکرد فرکانس بالای ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا AlGaN/GaN. فصل نامه علمی عصر برق. 1397; 2 (10) :42-45

URL: http://kiaeee.ir/article-1-175-fa.html



بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.
دوره 2، شماره 10 - ( 9-1397 ) برگشت به فهرست نسخه ها
نشریه عصر برق - انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران - شاخه خراسان Khorasan Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers (kiaeee)
Persian site map - English site map - Created in 0.08 seconds with 38 queries by YEKTAWEB 4645